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產業應用範圍

半導體材料、綠能科技

公告智權項目

項次

權利類別

智慧財產權名稱

1

營業秘密

半絶緣型4吋碳化矽長晶技術

2

營業秘密

導電型4吋碳化矽長晶技術

3

專利權

提高昇華氣體沉積速率之設備及其方法

4

專利權

高純度碳化物模具之製作方法

5

專利權

一種用於成長多類型化合物之單晶晶體之製備方法

6

專利權

一種光子晶體之製備方法

7

專利權

一種碳化物原料合成之製備方法

8

專利權

不同相之石墨製作方法

9

專利權

一種用於量測坩堝內部熱場分布之裝置

10

專利權

一種用於生長特定形狀碳化物之裝置

11

專利權

一種碳化矽基板上製作超薄石墨膜之方法

12

專利權

一種石墨基材上之碳化鉭塗層製備方法及其製備物

13

專利權

一種均勻碳化矽晶體製備裝置

權利類別

營業秘密

權利技術簡介(摘要)

本項技術可透過控制原料種類、坩堝種類、隔熱材構型、壓力、溫度等參數，成長半絕緣型碳化矽。包含4吋4H長晶技術、晶種保護層製作技術、晶種固定方法等10項技術內容。

權利類別

營業秘密

權利技術簡介(摘要)

本項技術可透過通氮氣的濃度，來控制碳化矽電阻率，導電型態為N型。包含4吋4H長晶技術、晶種保護層製作技術、晶種固定方法等10項技術內容。

智慧財產權名稱

一種提高昇華沉積速率之設備及其方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本發明係關於藉由昇華法或物理氣相沉積法成長單晶或一種多型晶體或多晶。所用之坩堝成長腔體構型，使得其內部材料源形成昇華氣體分子於腔體內相對冷點可成核及成長。利用本發明構型中熱傳體，熱應力控制熱傳體，多孔性斷熱環，成分比控制體分階段控制熱傳和質傳熱場趨向，應用分段控制主要製程，使成長腔體內縱向及橫向熱輻射溫度差和縱向溫度梯度落於適當區間，並使材料源昇華氣體可穩定於相對冷點成核及提升成長速率。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I513839號

智慧財產權名稱

高純度碳化物模具之製作方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本發明係提供一種高純度碳化物模具之製作方法，包含以下步驟： (A)提供一模板；(B)將該模板置入一成長腔體中；(C)將碳化物原料置於該成長腔體中；(D)提供熱場；(E)通入氣體；(F)沉積碳化物原料；以及(G)移除模板。本發明之高純度碳化物模具之製作方法，可製得由純度大於93%以上之高純度碳化物所構成的模具，有效改善傳統上碳化物模具硬度較低且純度較差之問題。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I571520號

智慧財產權名稱

一種用於成長多類型化合物之單晶晶體之製備方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本發明係揭示一種碳化矽之製備方法,藉由物理氣相傳輸法(physical vapor transport, PVT)，設計保溫材構型，進一步控制熱場，一旦增加系統軸向溫度差異後，在晶體生長初期可以有效抑制多晶區的生成，單晶區的凸界面生長在生長過程中也可以有效增加單晶區，產生單晶區的外擴生長，減少多晶的生成及對單晶的影響。此外，提高了晶體生長速率也可以有效的增加產率，達成量產目的。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I542741號

智慧財產權名稱

一種光子晶體之製備方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本發明係提供一種光子晶體的製備方法，包含：步驟1：取一晶種，於該晶種之一面進行蝕刻，以形成表面具有次微米空隙的晶種；步驟2：取一石墨盤，於該石墨盤之一面塗佈石墨膠，藉由該石墨膠將該晶種具有次微米空隙的一面貼附於該石墨盤，以形成一晶種座；步驟3：將該晶種座置於一成長室的上方，將原料置於至於該成長室的下方；步驟4：藉由一加熱裝置使該成長室內部形成一熱場，藉此將該原料由固體昇華為氣體分子；以及步驟5：控制成長室內的溫度、熱場、氣氛及壓力，使該氣體分子傳送並沉積於該晶種，藉此形成一光子晶體。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I571430號

美國

US9689087B1

日本

特許第6277176號

智慧財產權名稱

一種碳化物原料合成之製備方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本研究使用次多孔性碳材(如石墨毯)以及矽晶片(Si wafer)，利用碳熱還原法合成碳化矽原料。首先將多孔性碳材及石墨坩堝進行高溫純化，以避免碳化矽原料於高溫合成時產生汙染，並將去除晶片表面的雜質，接著將多孔性碳材與矽晶片採特殊的填料方式，置入石墨坩堝中，在將坩堝放入合成爐中完成碳化矽原料合成。也可於原料合成時摻雜n型(如：氮、磷、砷、銻)或p型(如：鋁、硼、釩、鈧、鐵、鈷、鎳、鈦)，製備不同電性的碳化矽原料。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I607968號

日本

特許第6371818號

智慧財產權名稱

不同相之石墨結構製作方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本發明實施例是藉由碳化矽晶片碳面與矽面極性的不同，並於高溫低壓時進行脫矽反應，並利用碳化矽晶片的碳面與矽面的極性不同，使得矽蒸氣從碳化矽晶片中脫去時形成不同相的石墨結構，不需經過粉碎、酸洗等分離及純化製程就可得到2H或3R相的石墨結構，較過去習知技術，獲得2H或3R相的石墨結構的方法簡易許多，且本研究方法所製備的石墨結構純度較高，另外本發明可使製程道次減少、生產成本降低等。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I607966號

美國

US10246334B2

日本

特許第6294979號

智慧財產權名稱

一種用於量測坩堝內部熱場分布之裝置

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

一種用於量測坩堝內部熱場分布之裝置，包括:一坩堝，其包含一上蓋、一本體、一成長室及一料源區；一保溫材，設置於該坩堝外部；一可移動加熱元件，係用以加熱該坩堝；複數具有絕緣耐高溫材料包覆之熱電偶，藉由該上蓋上的複數孔洞，設置於該上蓋內部，用以量測坩堝內部熱場分布。藉此，利用具有絕緣耐高溫材料包覆之熱電偶，可有效量測及調整坩堝內部溫度分布達到長晶之最佳溫度分布。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I648525號

美國

US10612159B2

日本

特許第6506863號

智慧財產權名稱

一種用於生長特定形狀碳化物之裝置

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

一種用於生長特定形狀碳化物之裝置，包括: 一坩堝；一料源區，用以放置料源；一沉積區，用以成長晶體；一氣體溫度梯度控制區，其包含一溫度梯度；一加熱元件，係用以加熱該坩堝；一氣流沉積載具，設置於沉積區，該氣流沉積載具係由單一或兩種以上特定形狀重複一次以上排列所組成。藉此，利用氣流沉積載具，可有效控制碳化物形狀及尺寸並提高沉積表面積。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I675946號

日本

特許第6609300號

智慧財產權名稱

一種碳化矽基板上製作超薄石墨膜之方法

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

一種碳化矽基板上製作超薄石墨膜之方法，步驟包括: (A)提供一聚醯胺酸溶液、ㄧ含矽氧烷之耦合試劑於惰性氣體氣氛下聚合成ㄧ含矽氧烷耦合基團之聚醯胺酸溶液；(B)將該含矽氧烷耦合基團之聚醯胺酸溶液塗佈於一碳化矽基板後進行ㄧ熟化製程；(C)該碳化矽基板設置於一石墨坩堝中，再置入一反應爐中，在惰性氣體氣氛下，進行一碳化製程；(D)將該碳化矽單晶基板進行一石墨化製程以獲得ㄧ石墨膜。藉此，可在較低的石墨化溫度下，在碳化矽表面製備出一高品質的超薄石墨薄膜。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I683916號

美國

US11049717B2

智慧財產權名稱

一種石墨基材上之碳化鉭塗層製備方法及其製備物

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本研究是利用Ta之醇化物或成本較低的Ta粉末與高分子進行混摻與塗佈，使含有Ta醇化物或Ta粉末在高溫轉換成TaC時，除了石墨基材所提供的碳源外，在高溫下高分子也可提供碳源與Ta醇化物或Ta粉末反應形成TaC塗層。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I706929號

美國

US11130152B2

日本

特許第6849779號

智慧財產權名稱

一種均勻碳化矽晶體製備裝置

權利類別

專利權

權利技術簡介(摘要)

本發明係揭示一種成長均勻半絕緣碳化矽晶體的裝置，藉由物理氣相傳輸法(physical vapor transport, PVT)，設計長晶裝置材質與幾何構型，進一步控制長晶系統內的深層能階補償元素濃度及分布，一旦改變長晶系統內長晶裝置材質幾何構型後，在晶體生長過程中可以有效使摻雜元素進入晶體內，使整體電阻率分布更加均勻，提高晶體整體電阻率合格可用區域。

專利申請國別及證書號

中華民國

發明第I723650號

美國

US11072871B2

日本

特許第6952098號

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