公告日期：2023/05/16
公告說明表
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公告名稱
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一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測電極之方法
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技術領域
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化工與材料
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產業應用範圍
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半導體等相關產業
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利
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一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測電極之方法
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智慧財產權公告摘要：
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項次1
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智慧財產權名稱
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一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測電極之方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測器之方法，步驟包括： (A) 提供一表面拋光之多晶系氮化鋁基板，利用磁控濺鍍設備以氮氣、氬氣所形成之電漿轟擊鋁靶材，於該基板表面反應生成一氮化鋁薄膜，以填補該基板表面晶格缺陷所產生之孔洞間隙； (B) 將該氮化鋁薄膜表面進行減薄製程，並進行研磨及拋光，以平坦化該氮化鋁基板； (C) 於該氮化鋁薄膜上，利用真空鍍膜設備製作一氧化鋅鍍層； (D) 於該氧化鋅鍍層上，利用黃光製程定義一氧化鋅元件吸收層圖案； (E) 於該氧化鋅元件吸收層圖案上，製作一對金屬指叉狀電極。
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專利申請國別及證書號
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中華民國
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I750549
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美國
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US 11,049,993
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日本
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JP 6906043
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