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公告本院可運用之智慧財產權：氮化物陶瓷粉體製備技術
公告日期：2023/11/24
公告內容說明表
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公告名稱
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氮化物陶瓷粉體製備技術
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技術領域
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化工與材料
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產業應用範圍
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陶瓷材料、半導體等相關產業
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利
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氮化鋁碳素除氧法
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2
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專利
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氮化鋁之防潮處理方法
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3
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專利
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以高分子混合物製備氮化鋁粉體之方法
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4
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專利
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一種氣氛控制碳熱還原製備氮化鋁粉體的方法
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5
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專利
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一種製備球形氮化鋁粉末之方法
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6
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專利
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一種製備球形氮氧化鋁粉末之方法
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7
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專利
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一種製備球形氮化矽粉體的方法
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智慧財產權公告摘要：
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項次1
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智慧財產權名稱
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氮化鋁碳素除氧法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本專利提案在氮化鋁基板開發製程中之「低溫退火」程序，提出於1850℃降溫至1100℃接著於1100℃升溫至1700℃，最後在碳素/N2條件下進行退火過程，利用碳素的還原能力將表層的氧在高溫狀態反應形成一氧化碳，製程純度及品質良好的氮化鋁基板。
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專利申請國別及證書號
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台灣
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I531528
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美國
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US 8,357,345 B1
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項次2
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智慧財產權名稱
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氮化鋁之防潮處理方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明利用簡易製程將氮化鋁粉末進行前處理，增加氮化鋁之防潮性，可穩定其表面性質，故可有效提升氮化鋁基板產品的品質及純度。
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專利申請國別及證書號
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台灣
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I444229
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美國
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US 8,646,706 B2
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項次3
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智慧財產權名稱
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以高分子混合物製備氮化鋁粉體之方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本提案技術為在氮化鋁粉體製程初期先將高分子掺入，利用高分子其本身置換氧化物原子技術，以環境高碳原子做為置換媒介物進行氧化還原反應，使氧化物形成晶格震盪，析出外層氧原子，再以環境高壓之氮原子補充空位形成氮化鋁粉體。
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專利申請國別及證書號
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台灣
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I522310
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美國
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US 9,216,906 B2
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項次4
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智慧財產權名稱
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一種氣氛控制碳熱還原製備氮化鋁粉體的方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本提案技術以樹脂作為碳源，樹脂在氧化鋁表面生成薄層，碳化時形成高活性多孔物質，與氧化鋁接觸表面積增大，減少碳源使用量，並利用氨氣與氫氣氣氛的控制大幅降低氮化反應溫度，獲得次微米的氮化鋁粉末。
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專利申請國別及證書號
|
台灣
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I548591
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項次5
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智慧財產權名稱
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一種製備球形氮化鋁粉末之方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本提案技術將碳材料與氧化鋁粉體透過噴霧乾燥得到球形均勻混合粉末，球形粉末具有大的比表面積，且樹脂在氧化鋁表面生成薄層，碳化時形成高活性多孔物質，與氧化鋁接觸表面積增大，提高氮化速率，減少碳源使用量，氮氣氣氛通過球形顆粒間的間隙並滲透至球形造粒物內部進行氮化，獲得次微米的氮化鋁粉末。
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專利申請國別及證書號
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台灣
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I579231
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日本
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特許6271665
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項次6
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智慧財產權名稱
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一種製備球形氮氧化鋁粉末之方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本提案技術將碳材料與氧化鋁粉末透過噴霧乾燥得到球形均勻混合粉末，球形粉末具有大的比表面積，且樹脂在氧化鋁表面生成薄層，碳化時形成高活性多孔物質，與氧化鋁接觸表面積增大，提高氮化速率，反應<1750℃即可獲得氮氧化鋁粉末，氮氣氣氛通過球形顆粒間的間隙並滲透至球形造粒物內部進行氮化，透過球磨可獲得次微米的氮氧化鋁粉末。
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專利申請國別及證書號
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台灣
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I621586
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美國
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US10,144,645B1
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日本
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特許6450425
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項次7
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智慧財產權名稱
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一種製備球形氮化矽粉體的方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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預先將二氧化矽粉體和碳源(葡萄糖/蔗糖/酚醛樹脂)利用噴霧造粒方式製備碳源均勻包覆之球形二氧化矽粉體，於氮氣氣氛下碳化時會使其形成多孔洞結構，可增加碳化之粉體與氮氣氣流的接觸面積，使氮氣可以從表面藉由孔洞與間隙擴散滲透至內部進行氮化反應，此舉可大幅提昇氮化轉化率，達到減少碳源使用量之目的。另可藉由改變高溫燒結製程之升溫曲線參數，可一次完成碳化、碳熱還原與氮化反應，得到微米級高純度之球形氮化矽粉體。
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專利申請國別及證書號
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台灣
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I646045
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美國
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US10,384,941B2
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日本
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特許 6560796
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朱芷葦 技術師
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