公告日期：2023/12/28
公告內容說明表
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公告名稱
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碳化矽技術專利
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技術領域
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電子與光電、化工與材料、先進製造與系統、能源與環境
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產業應用範圍
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半導體材料、綠能科技
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利
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提升碳化矽單晶成長良率之方法
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智慧財產權公告摘要：
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項次1
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智慧財產權名稱
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提升碳化矽單晶成長良率之方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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提供一種提升碳化矽單晶成長良率之方法，步驟包括：(A)將篩選之碳化矽料源提入石墨坩鍋底部；(B)將石墨晶種座進行構型調整；(C)將碳化矽晶種以石墨夾固配件鎖至已調整完之石墨晶種上；(D)將裝有碳化矽料源及碳化矽晶種之石墨坩鍋置於物理氣相傳輸法用之感應式高溫爐中；(E)進行碳化矽晶體成長流程，以及(F)獲得碳化矽單晶晶體，本發明藉由調整石墨晶種座表面幾何構型，來達到去除周圍晶界的生成。
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專利申請國別及證書號
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中華民國
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I789915
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美國
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17/537,521
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日本
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特願2021-187627
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朱芷葦 技術師
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