公告日期：2024/03/27
公告內容說明表
|
公告名稱
|
氮化鋁基板金屬化技術
|
|
技術領域
|
化工與材料
|
|
產業應用範圍
|
半導體等相關產業
|
|
公告智權項目
|
項次
|
權利類別
|
智慧財產權名稱
|
|
1
|
專利
|
一種改善氮化鋁基板與銅鍍層之界面應力的結構
|
| 2 |
專利 |
一種降低雙面銅鍍層與氮化鋁基板之界面應力累積的方法 |
| 3 |
專利 |
氮化鋁陶瓷基板表面改質的方法 |
智慧財產權公告摘要：
|
項次1
|
|
智慧財產權名稱
|
一種改善氮化鋁基板與銅鍍層之界面應力的結構
|
|
權利類別
|
專利
|
|
權利技術簡介(摘要)
|
本發明採用多次黃光微影製程與電鍍製程進行銅鍍層的製作，將所需的銅鍍層厚度減薄分批堆疊鍍製，並依照想要的角度調整黃光微影製程參數將每一層銅鍍層的長度依序向上內縮形成階梯狀型態，最後完成多層銅鍍層堆疊型態之金屬化線路鍍製。此發明不僅可得到相同厚度的銅鍍層，且堆疊銅鍍層後形成的階梯狀型態可降低邊緣之切線角度，可大幅降低氮化鋁基板與銅鍍層間的應力值，有效提升氮化鋁基板的可靠度。
|
|
專利申請國別及證書號
|
中華民國
|
I667221
|
|
美國
|
US 10,923,621 B2
|
|
日本
|
特許第6851449號
|
|
項次2
|
|
智慧財產權名稱
|
一種降低雙面銅鍍層與氮化鋁基板之界面應力累積的方法
|
|
權利類別
|
專利
|
|
權利技術簡介(摘要)
|
本發明採用黃光微影製程與電鍍製程進行TAV填銅與圖樣化之雙面銅鍍層製作，在TAV穿孔處預先鍍製具對稱結構之雙面銅鍍層作為與氮化鋁基板間的應力緩衝層，再客製化進行後續的銅鍍層圖樣設計，依模擬理論計算佐證如此可有效降低具不對稱結構之雙面銅鍍層TAV氮化鋁基板的應力累積在短邊銅鍍層面，有利於提升氮化鋁基板的可靠度。
|
|
專利申請國別及證書號
|
中華民國
|
I667221
|
|
美國
|
US 10,923,621 B2
|
|
日本
|
特許第6851449號
|
|
項次3
|
|
智慧財產權名稱
|
氮化鋁陶瓷基板表面改質的方法
|
|
權利類別
|
專利
|
|
權利技術簡介(摘要)
|
本發明為一種氮化鋁陶瓷基板表面改質的方法，採用濺鍍與有機物化學氣相沉積法(MOCVD)製程進行多晶氮化鋁陶瓷基板之表面改質。藉此，以MOCVD的方式分兩階段溫度進行磊晶成長氮化鋁層，可使多晶相氮化鋁陶瓷基板之表面形成類單晶相之氮化鋁材料結晶相，並降低多晶相氮化鋁陶瓷基板之表面粗糙度。
|
|
專利申請國別及證書號
|
中華民國
|
I698553
|
|
日本
|
特許第7071954號
|
本公告項目為本院可運用之智慧財產權公告，有興趣洽詢合作之業界夥伴，請來信與我們連絡。
連絡資訊：
軍民通用中心
朱芷葦 技術師
(03)4712201#329507
ipo@ncsist.org.tw
本聯絡信箱僅供業界夥伴洽詢智慧財產權授權或合作使用，非此目的來信者，本信箱不作回覆。
來信請留下以下內容，方便與您聯繫，謝謝。
|
公司名稱
|
(請填寫全名)
|
|
公司統一編號
|
|
|
洽詢人名稱
|
|
|
聯絡電話
|
|