公告日期：2024/05/03
公告內容說明表
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公告名稱
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含鋁氮化物電晶體結構
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技術領域
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電子與光電
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產業應用範圍
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半導體業
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利
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含鋁氮化物電晶體結構
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智慧財產權公告摘要：
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項次1
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智慧財產權名稱
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含鋁氮化物電晶體結構
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係為一種含鋁氮化物電晶體結構及其製作方法，藉由在含鋁氮化物電晶體結構中插入一層較低能隙之二元氮化物中間層，進一步改善二維電子氣通道之載子濃度，來達到提升含鋁氮化物電晶體性能之功效。
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專利申請國別及證書號
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中華民國
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I716230
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軍民通用中心
朱芷葦 技術師
(03)4712201#329507
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