公告日期：2024/06/19
公告內容說明表
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公告名稱
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氮化鎵異質整合於矽基板之半導體結構及其製造方法
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技術領域
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電子與光電
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產業應用範圍
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化合物電力電子元件結構設計與元件製造
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利
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氮化鎵異質整合於矽基板之
半導體結構及其製造方法
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智慧財產權公告摘要：
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項次1
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智慧財產權名稱
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氮化鎵異質整合於矽基板之半導體結構及其製造方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種氮化鎵異質整合於矽基板之半導體結構的製造方法，包含下列步驟：提供一矽基 板，該矽基板具有(100)晶面的一主表面，在該主表面成長一氧化層；將該氧化層進行圖 案化以作為硬遮罩，利用反應離子蝕刻方式於該矽基板中形成一百奈米級孔洞；使用電 漿化學氣相沉積方式於該百奈米級孔洞內成長一氮化層，再利用感應耦合型電漿蝕刻方式移除該百奈米級孔洞底壁之該氮化層而暴露該矽基板之(100)晶面，並留下該百奈米級孔洞側壁之該氮化層，該百奈米級孔洞之該側壁於該矽基板中的長度為250-700奈米，且該側壁係垂直於該(100)晶面之主表面；使用該側壁之該氮化層作為阻擋層，利用濕蝕刻方式蝕刻該百奈米級孔洞底壁所暴露的該矽基板，直至暴露出具有(111)晶面的一傾斜表面；以及使用有機金屬化學氣相沉積方式於該百奈米級孔洞中成長一氮化鋁緩衝層，再成長一氮化鎵磊晶層，同時進行矽摻雜，以獲得一矽摻雜的氮化鎵磊晶層。
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專利申請國別及
申請號
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中華民國 |
108117447 |
| 日本 |
2019123178 |
| 美國 |
16/519,418 |
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