公告日期：2024/06/19
公告內容說明表
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公告名稱
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具有寬能隙三五族汲極之金屬氧化物矽半導體場效電晶體及其製造方法
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技術領域
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電子與光電
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產業應用範圍
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化合物電力電子元件結構設計與元件製造
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利
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具有寬能隙三五族汲極之金屬氧化物矽半導體場效電晶體及其製造方法
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智慧財產權公告摘要：
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項次1
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智慧財產權名稱
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具有寬能隙三五族汲極之金屬氧化物矽半導體場效電晶體及其製造方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種具有寬能隙三五族汲極之金屬氧化物半導體場效電晶體及其製作方法，乃在金屬氧化物矽半導體場效電晶體結構中，於矽(100)基板上製作百奈米級孔洞，此百奈米級孔洞可隨後將矽基板之(111)晶面暴露，而有利於選擇性區域成長高品質的三五族材料，藉由其寬能隙的特性，三五族材料作為汲極結構可以有效彌補金屬氧化物矽半導體場效電晶體在高頻應用功率功能之不足，也可解決因元件持續微縮所產生之擊穿問題。
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專利申請國別
及申請號
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中華民國 |
108142879 |
| 日本 |
2020188266 |
| 美國 |
17/007,967 |
| 德國 |
202010128550 |
| 韓國 |
1020200146851 |
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朱芷葦 技術師
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