公告日期：2024/08/21
公告內容說明表
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公告名稱
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一種均勻碳化矽晶體製備裝置
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技術領域
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化工與材料、能源與環境
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產業應用範圍
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半導體材料、綠能科技
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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專利
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一種均勻碳化矽晶體製備裝置
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智慧財產權公告摘要：
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項次1
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智慧財產權名稱
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一種均勻碳化矽晶體製備裝置
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係揭示一種成長均勻半絕緣碳化矽晶體的裝置，藉由物理氣相傳輸法（physical vapor transport, PVT），設計長晶裝置材質與幾何構型，進一步控制長晶系統內的深層能階補償元素濃度及分布，一旦改變長晶系統內長晶裝置材質幾何構型後，在晶體生長過程中可以有效使摻雜元素進入晶體內，使整體電阻率分布更加均勻，提高晶體整體電阻率合格可用區域。
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專利申請國別
及專利號
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中華民國 |
發明第 I723650 號 |
| 日本 |
特許第6952098號 |
| 美國 |
US 11,072,871 B2 |
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