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光電材料查詢結果
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技術類別
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光電材料
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技術名稱
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長波長紅外線影像陣列晶片
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技術簡介
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長波長紅外線影像陣列晶片設計與製造技術
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技術規格
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1.Sensormaterial：GaAs／AlGaAs
2.Sensorstructure：LW-QWIP
3.Spectralband：8.5~9.5um
4.Detectorpixelnumbers：320x256
5.Deliverydietype：HybridizedGaAs／AlGaAsQWIP／ROICFPAwith84-pinLCCchipcarrier(含接腳圖)
6.FPAAve.NEDT≦35mK
7.CameraModuleAve.NEDT≦50mK(reference)
8.FPAoperability≧99%
9.CameraModuleoperability≧98%(reference)
10.ROICtype：FLIRIndigoISC9705comparable
11.Hybridizedtype：Indiumbumpflip-chipbonding
12.CameraModuleInputinterface：NTSCRS170／IEEE1394optional(reference)
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技術特色
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利用低維度量子能階躍遷理論、分子束磊晶與半導體黃光製程技術，開發320x256長波長紅外線影像陣列晶片
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應用範圍
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光電半導體、熱影像科技、熱影像模組開發
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主要機儀具
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MBE系統、曝光顯影系統、蝕刻與蒸鍍系統、異質貼合機
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主要實驗室
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XXXX實驗室
(含xxxxx認證)
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聯絡窗口
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03-4712201#357106
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電 話
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湯相峰
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備考
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