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專利名稱 薄膜試片承座
專利證號 M422748
國別 中華民國
獲證日期 20120211
專利摘要 一種薄膜試片承座，其包含一石墨盒；一設於石墨盒內之底板；一設於石墨盒內且位於底板一面上之承座；一設於石墨盒內且位於承座一面上之上蓋板；以及至少二分別結合於承座相對應兩外側面上且同時夾持底板與上蓋板之彈性元件。藉此，可將薄膜試片設於承座中，並配合石墨盒、底板、上蓋板及彈性元件之設置使其緊密結合，而於硒化製成中保存抽氣後之真空與減少硒蒸氣之損失，且可減少薄膜試片與承座之接觸面積，使熱輻射可直接穿透並控制薄膜試片之加熱溫度，而達到氣密性佳、均溫性良好、可控制溫升以及降低製程加熱時間與成本之功效。

IPC國際分類號

H01L-021/67(2006.01)