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| 專利名稱 | 半導體銅製程整合極低介電常數材料之拋光方法 | | 專利證號 | I302350 | | 國別 | 中華民國 | | 獲證日期 | 20081021 | | 專利摘要 | 本發明係有關於一種半導體銅製程整合極低介電常數材料之拋光方法,包含有下列步驟:A.備置一覆有銅質層整合極低介電常數材料之待拋光晶圓;B.使該銅質層進行化學反應,使該銅質層表面產生出一層具脆性材料性質之極表層生成物;C.持續對該極表層生成物施以超音波研磨;D.對晶圓之阻障層施以超音波研磨,達到拋光的效果。 | IPC國際分類號 | H01L-021/304(2006.01);(IPC 1-7) : H01L-021/304 |
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