|
|
| 專利名稱 | 具吸收層之半導體裝置及其製造方法 | | 專利證號 | I419309 | | 國別 | 中華民國 | | 獲證日期 | 20131211 | | 專利摘要 | 本發明係有關於一種具吸收層之半導體裝置及其製造方法，該具吸收層之半導體裝置包含一基板，該基板上設置一第一型半導體層，於該第一型半導體層之上設置一漸進型吸收層，該漸進型吸收層更包含AlxInyGa1-x-yN(x≧0,y≧0,1≧x+y≧0)之組成成分，該漸進型吸收層上更設置一第二型半導體層；又，該第一型半導體層上設置一第一導電層，以及該第二型半導體層上更設置一第二導電層。其中，藉由該漸進型吸收層所包含之AlxInyGa1-x-yN(x≧0,y≧0,1≧x+y≧0)，得以擴大吸收波長之範圍，以提供可同時感測可見光與不可見光的光偵測器。 | IPC國際分類號 | H01L-027/14(2006.01) |
|