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專利名稱	化合物半導體元件陽極處理製程AN ANODIC OXIDATION PROCESS FOR DEVICES OF COMPOUND SEMICONDUCTOR
專利證號	I237854
國別	中華民國
獲證日期	20050811
專利摘要	本發明係提供化合物半導體元件，以陽極處理方式製作氧化層，其製作方式之改進，可改善元件特性均勻性，提高製程良率。
IPC國際分類號	H01L-021/3065(2006.01);(IPC 1-7) : H01L-021/3065

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