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專利名稱	化合物半導體元件製程
專利證號	103436
國別	中華民國
獲證日期	19990501
專利摘要	本發明係提供化合物半導體元件，以反應性離子蝕刻方式蝕刻陽極處理層，製作金屬接觸窗，可提高製程良率，縮短製程時間。
IPC國際分類號	H01L-021/768(2006.01);(IPC 1-7) : H01L-021/768

造訪人次 7454123 線上人數 2003．網站更新日期：2025/06/24 15:14:23 使用規範 / 隱私權政策