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專利名稱 化合物半導體元件金屬接觸製程A METAL CONTACT PROCESS FOR DEVICES OF COMPOUND SEMICONDUCTOR
專利證號 I256156
國別 中華民國
獲證日期 20060601
專利摘要 本發明係提供化合物半導體元件,以自行對準金屬栓塞,製作金屬接觸,可降低接觸電阻,提高製程良率,縮短製程時間。

IPC國際分類號

H01L-033/00