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專利名稱 具條狀遮罩之氮化鎵雷射二極體
專利證號 191924
國別 中華民國
獲證日期 20031101
專利摘要 一種氮化鎵雷射二極體，其架構包括一組柵狀排列之上層條狀遮罩(mask)。上層條狀遮罩於磊晶生長時會迫使表面磊晶產生島狀組織，利用彈性應變吸收應變能之機制，可使位於表層之p型氮化鎵侷限層的厚度增加但不會破裂，如此便增加光的侷限效果。

IPC國際分類號

H01S-005/32(2006.01);(IPC 1-7) : H01S-003/18