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專利名稱 化合物半導體元件陽極處理製程
創作型式 發明
專利證號 TWI237854
國別 中華民國
獲證日期 2004/05/05
專利摘要 本發明係提供化合物半導體元件,以陽極處理方式製作氧化層,其製作方式之改進,可改善元件特性均勻性,提高製程良率。

IPC國際分類號

H01L0021306
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f472frank@ncsist.org.tw