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專利名稱 PIN二極體及其製造方法
創作型式 發明
專利證號 TWI251937
國別 中華民國
獲證日期 2004/12/08
專利摘要 一種PIN二極體的製造方法，首先提供一晶片，此晶片具有一正面與一背面，並於晶片的正面形成一第一導電態層。接著，提供一承載晶片，並與晶片的正面黏合。之後，研磨晶片的背面，以縮減晶片的厚度，並於晶片的背面形成一第二導電態層，並以此結構進行二極體製程。最後，去除承載晶片，以形成由第一導電態層、研磨過的晶片與第二導電態層組成的PIN二極體，簡化了習知PIN二極體的製程，並提高生產效率及良率。

IPC國際分類號

H01L0029868
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f510frank@ncsist.org.tw