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專利名稱 用於半導體銅金屬層之化學機械研磨漿
創作型式 發明
專利證號 TWI255851
國別 中華民國
獲證日期 2004/04/13
專利摘要 一種用於研磨半導體晶圓上銅金屬層之化學機械研磨漿，包含膠體二氧化矽(colloidal silica)及由雙氧水(hydrogen peroxide)、醋酸(acetic acid)及酞酸(phthalic acid)組成之化學蝕劑，其中係以雙氧水將銅金屬層之表面氧化，隨後醋酸與銅氧化物反應形成醋酸銅，此依據選擇性、功能性之化學反應機制，可加速研磨移除效率、同時降低刮痕現象，而酞酸提供pH緩衝劑(buffering agent)與錯合劑(complexing agent)之作用，可促進晶圓表面各點之反應濃度更為均勻，而於銅金屬層之化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing)過程中，展現高移除率與高均勻度(uniformity)之效能者。

IPC國際分類號

C09K000314
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f586frank@ncsist.org.tw