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| 專利名稱 | 製作奈米碳管之方法、用以成長奈米碳管之試片以及奈米碳管元件METHOD FOR FABRICATING CARBON NANOTUBE, WAFER FOR GROWING CARBON NANOTUBE, AND CARBON NANOTUBE DEVICE | | 創作型式 | 發明 | | 專利證號 | TWI474972 | | 國別 | 中華民國 | | 獲證日期 | 2008/10/01 | | 專利摘要 | 本發明揭露一種製作一奈米碳管的方法，該方法包含下列步驟：提供一基板；形成一觸媒層於該基板上；形成一多孔性覆蓋層於該觸媒層上以完成一試片；於該試片上形成該奈米碳管。藉由該多孔性覆蓋層，該試片能以熱裂解化學氣相沈積法成長具有高準直性之該奈米碳管於該試片上。 | IPC國際分類號 | C01B003102 | | 聯絡人 | 王淳右 | | 電話 | #329655 | | EMAIL | f712frank@ncsist.org.tw |
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