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專利名稱 半導體元件及其製造方法
創作型式 發明
專利證號 TWI401806
國別 中華民國
獲證日期 2008/12/02
專利摘要 本發明係揭露一種半導體元件與製作此半導體元件的方法。根據本發明之半導體元件包含有基板、穿隧層、鉿釓奈米晶粒層、控制氧化層以及閘極。其中，基板具有源極和汲極，而穿遂層形成於基板上並位於源極以及汲極之間。鉿釓奈米晶粒層形成於穿隧層上，特別地，鉿釓奈米晶粒層中包含複數個奈米晶粒。此外，控制氧化層形成於鉿釓奈米晶粒層上，而閘極則形成於該控制氧化層上。

IPC國際分類號

H01L002128
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f797frank@ncsist.org.tw