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專利名稱 以奈米壓印形成發光元件之薄膜結構的製造方法METHOD FOR FORMING THIN-FILM STRUCTURE OF LIGHT-EMITTING DEVICE BY NANOIMPRINT
創作型式 發明
專利證號 TWI458126
國別 中華民國
獲證日期 2009/12/10
專利摘要 本發明揭露一種以奈米壓印形成發光元件之薄膜結構的製造方法。根據本發明之製造方法包含下列步驟：首先，獲得該發光元件；接著，旋塗一前趨物於該發光元件上以形成一薄膜；之後，利用奈米壓印技術壓印一圖案至該薄膜；最後，硬化該薄膜，致使該黏滯性材料形成該薄膜結構。

IPC國際分類號

B29C005902
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f798frank@ncsist.org.tw