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專利名稱 P型氧化鋅薄膜的製作方法
創作型式 發明
專利證號 TWI447820
國別 中華民國
獲證日期 2010/12/27
專利摘要 本發明係一種P型氧化鋅薄膜的製作方法，其特點係同時使用含鋅、鋁、鎂之氧化物靶材及鋅金屬靶材，利用磁控射頻濺鍍裝置，鍍製氣氛為氬氣與氮氣混合氣體，直接鍍製成P型氧化鋅薄膜，可有效減少製程的繁複性與提升其薄膜電性性質。

IPC國際分類號

C23C001434
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f827frank@ncsist.org.tw