::: 產業服務
*

::: 技術移轉

專利名稱 三維半導體電路結構及其製法A THREE-DIMENSION CONSTRUCTION OF SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND THE FABRICATION THEREOF
創作型式 發明
專利證號 TWI532100
國別 中華民國
獲證日期 2012/08/22
專利摘要 一種三維半導體電路結構及其製法，其結構係包括：一上方具有第一金屬電路層之基板、一設置於該第一金屬電路層上，並與該第一金屬電路層電性之中介層、及設置於該中介層上之至少一半導體元件，藉由該中介層排除各該半導體元件作動時所產生之溫度，以達到提高半導體元件壽命之目的。

IPC國際分類號

H01L0021318
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f897frank@ncsist.org.tw