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專利名稱 具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構與製造方法SUB-MICRON COLUMN STRUCTURE OF SCINTILLATOR AND FABRICATION METHOD
創作型式 發明
專利證號 TWI476143
國別 中華民國
獲證日期 2012/11/13
專利摘要 本發明係關於一種具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構與製造方法,其中,該具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構係包括一管狀模板,係由複數個薄膜氧化金屬管所構成;複數個閃爍晶體,係分別填充於該些薄膜氧化金屬管之內;以及一封裝層,係形成於該管狀模板之表面。此外,透過該製造方法,該具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構可經由低成本、可快速生產之陽極處理與壓鑄技術被製得,並且,經由調整電壓、電解液成份、陽極處理時間的變化,可進一步地製得奈米管結構,且其奈米管的孔徑可被控制於10nm至500nm內,厚度也可被控制於0.1至1000μm內,再者,且其管密度可控制於10 8 至1012 管/cm2 內。

IPC國際分類號

B82B000300
聯絡人 王淳右
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