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專利名稱 一種提高昇華沉積速率之設備及其方法
創作型式 發明
專利證號 TWI513839
國別 中華民國
獲證日期 2013/12/12
專利摘要 一種提高昇華沉積速率之設備及其方法包括：一坩堝，其內部具有一沉積區；一散熱元件，部分容嵌入該坩堝並提供縱向的散熱；一絕緣環，圍繞設置在該沉積區周圍；及一熱反射元件，固定於該絕緣環之一側，並具有一傾斜面；其中，該絕緣環的導熱係數低於該坩堝、該散熱元件和該熱反射元件，且該熱反射元件與該熱絕緣環連通。

IPC國際分類號

C23C001426
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f939frank@ncsist.org.tw