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專利名稱 一種二極體元件奈米結構之製備方法
創作型式 發明
專利證號 TWI540093
國別 中華民國
獲證日期 2013/12/09
專利摘要 一種二極體元件奈米結構之製備方法，包括：提供一基板，該基板上成長一鎵摻雜氧化鋅薄膜；利用水熱法成長n型氧化鋅奈米柱體於該鎵摻雜氧化鋅薄膜上；利用溶膠凝膠法成長一p型氧化鋅薄膜於該鎵摻雜氧化鋅薄膜上；其中該p型氧化鋅薄膜完全包覆該n型氧化鋅奈米柱體。藉此，可製備出具有較大的p-n接面接觸面積之二極體元件。

IPC國際分類號

B82B000300
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f962frank@ncsist.org.tw