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專利名稱 一種化合物薄膜太陽電池鉬背電極之歐姆接觸膜層結構
創作型式 新型
專利證號 TWM477050
國別 中華民國
獲證日期 2013/12/19
專利摘要 一種高效率化合物薄膜太陽電池之元件結構，其鉬(Mo)背電極/吸收層界面具有一厚度範圍100nm至250nm的二硒化鉬(MoSe2)層，其存在可形成理想的歐姆接觸(ohmic contact)及形成背電場效應(Back surface field,BSF)，可減少電子與電洞之復合，進而提升電池發電效率，並可使背電極與吸收層的附著性提高。然而，MoSe2層並非良好導體，過厚的MoSe2層不利於薄膜太陽能電池之性能，適當的MoSe2層厚度有助提升化合物薄膜太陽電池發電效率。本專利涉及一種簡單方式控制化合物薄膜太陽電池Mo背電極生成MoSe2層厚度之方法，包括透過改變Mo背電極濺鍍功率及不同Mo：Na/Mo薄膜堆疊厚度比例可有效控制MoSe2層厚度，進而提升電池發電效率。

IPC國際分類號

H01L0031042
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f965frank@ncsist.org.tw