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專利名稱 I–III–VI族化合物之I–III族前驅物薄膜之製造方法
創作型式 發明
專利證號 TWI515317
國別 中華民國
獲證日期 2014/01/15
專利摘要 本發明係有關於一種太陽能電池之前驅物特性控制方法，該前驅物薄膜包含I-III族之銅、銦、鎵元素或至少銅元素與銦元素，本發明所提供前驅物特性控制方法係先沉積I-III族之銅銦鎵金屬元素薄膜於基板上，接著在真空環境下使用惰性氣體之離子源轟擊銅銦鎵前驅物薄膜，控制該銅銦鎵前驅物薄膜薄膜之晶相型態、成分比例及均勻性，最後經退火處理或硒化處理，得到一銅銦鎵硒吸收層薄膜，進而控制該I-III-VI族化合物之銅銦鎵硒薄膜之晶相型態、成分比例、表面型態及均勻性，並應用於I-III-VI族太陽能電池之製作。

IPC國際分類號

C23C001422
聯絡人 王淳右
電話 #329655
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