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專利名稱 具有應力吸收緩衝層之半導體結構及其製造方法
創作型式 發明
專利證號 TWI457985
國別 中華民國
獲證日期 2011/12/22
專利摘要 本發明揭示一種具有應力吸收緩衝層之半導體結構及其製造方法，其結構係包含有：一基板、一絕緣層、一緩衝層以及一磊晶層；且該半導體結構係藉由一表面處理技術消除緩衝層之應力，進而達到降低缺陷密度且避免磊晶層剝落之功效。

IPC國際分類號

H01L002120
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f994frank@ncsist.org.tw