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專利名稱 一種具有氮化鋁中介層的三維積體電路之製作方法
創作型式 發明
專利證號 TWI557816
國別 中華民國
獲證日期 2014/05/30
專利摘要 一種具有氮化鋁中介層的三維積體電路之製作方法，其步驟包括：提供一第一電路元件；提供複數第一導電區塊設置在該第一電路元件上；提供一氮化鋁中介層設置於該第一電路元件上，該氮化鋁中介層具有複數微導孔，微導孔中具有一導電物，該導電物一端與該第一導電區塊接觸；提供複數第二導電區塊設置於該氮化鋁中介層上，並與該複數微導孔中導電物另一端接觸；提供至少一第二電路元件設置於該氮化鋁中介層上，並藉由第一、第二導電區塊及導電物與該第一電路元件電性連結。藉此，可製備出一種具有氮化鋁中介層的三維積體電路。

IPC國際分類號

H01L002158
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1006frank@ncsist.org.tw