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專利名稱 於圖形化絕緣層上覆應變晶質層之結構及其製造方法
創作型式 發明
專利證號 TWI458090
國別 中華民國
獲證日期 2011/12/22
專利摘要 本發明係提供一種於圖形化絕緣層上覆應變晶質層之結構及其製造方法，製造時係提供一基板，並沈積一絕緣層於該基板之表面，且沈積一應變晶質層於該絕緣層之表面，之後再沈積一磊晶層於該應變晶質層之表面，使其形成相互層疊之基板、絕緣層、應變晶質層以及磊晶層之結構，而該結構藉由圖形化絕緣層與應變晶質層之結合，此外更可依所需於絕緣層與應變晶質層之間形成一緩衝層，可更進一步達到改善基板與磊晶層間之晶格不匹配之功效。

IPC國際分類號

H01L0021205
聯絡人 王淳右
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