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專利名稱 一種可降低接觸電阻之具高導電性薄膜結構
創作型式 新型
專利證號 TWM495610
國別 中華民國
獲證日期 2014/09/18
專利摘要 一種具高導電性並可降低金屬接觸電阻之薄膜結構，設於一光電元件之一基材及至少一金屬電極之間，其包括一第一導電層及一第二導電層。第一導電層為非結晶型透明導電薄膜，沉積設於基材之一側面，第二導電層為一結晶型透明導電薄膜，沉積設於第一導電層之一側表面，且另側係與該金屬電極接觸，以作為該第一導電層與該金屬電極之導電媒介，藉此可使該薄膜結構具有高導電性、高透光性及相對金屬電極具有低接觸電阻等優點，並且不受基材表面粗糙度影響其功效呈現。

IPC國際分類號

C12Q000170
聯絡人 王淳右
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