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專利名稱 製備高品質平整過渡層之方法及其產物
創作型式 發明
專利證號 TWI532206
國別 中華民國
獲證日期 2014/12/19
專利摘要 本發明係提出一種製備高品質平整過渡層之方法及其產物，其方法係針對一薄膜型太陽能電池以製備一平整過渡層，該薄膜型太陽能電池具有一光學吸收層，並沉積一反應層於該光學吸收層上，而後提供一反應氣氛以針對該反應層進行快速熱退火製程，使該反應氣氛與該反應層交互擴散而形成該平整過渡層，並與該光學吸收層之間形成平整之一p-n接面，其特徵在於：進行快速熱退火製程時，將工作壓力控制於1×10 -4Torr至300Torr之間，且該平整過渡層並非利用將另一具有高活性和高蒸氣壓之層體與該反應層互相結合而形成。如此便可使該平整過渡層與p型半導體間形成較佳之p-n接面特性，以降低元件漏電效應。

IPC國際分類號

H01L0031042
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1042frank@ncsist.org.tw