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專利名稱 氮化物電晶體結構
創作型式 發明
專利證號 TWI572036
國別 中華民國
獲證日期 2015/12/08
專利摘要 本發明係為一種氮化物電晶體結構及其製作方法，藉由在氮化物電晶體結構中插入一層或多層以較低五三比成長之氮化物中間層，進一步改善二維電子氣通道之電子遷移率與載子濃度，來達到提升氮化物電晶體性能之功效。

IPC國際分類號

H01L002920
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1096frank@ncsist.org.tw