::: 產業服務
*

::: 技術移轉

專利名稱 一種光子晶體之製備方法
創作型式 發明
專利證號 TWI571430
國別 中華民國
獲證日期 2015/12/07
專利摘要 本發明係提供一種光子晶體之製備方法，包含：步驟1：取一晶種，於該晶種之一面進行蝕刻，以形成表面具有次微米空隙的晶種；步驟2：取一石墨盤，於該石墨盤之一面塗佈石墨膠，藉由該石墨膠將該晶種具有次微米空隙的一面貼附於該石墨盤，以形成一晶種座；步驟3：將該晶種座置於一成長室的上方，將原料置於至於該成長室的下方；步驟4：藉由一加熱裝置使該成長室內部形成一熱場，藉此將該原料由固體昇華為氣體分子；以及步驟5：控制成長室內的溫度、熱場、氣氛及壓力，使該氣體分子傳送並沉積於該晶種，藉此形成一光子晶體。

IPC國際分類號

B82Y002000
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1097frank@ncsist.org.tw