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專利名稱 銅銦鎵硒薄膜硫化裝置
創作型式 發明
專利證號 TWI596234
國別 中華民國
獲證日期 2016/11/25
專利摘要 本發明提供一種銅銦鎵硒薄膜硫化裝置，其包括：一抽氣幫浦；一氣體供應器，其係供以將硫粉加熱產生硫氣體；一反應室，其係分別與該抽氣幫浦與該氣體供應器相互連通；及一氣體分流件，其係設於該反應室內，且該氣體分流件係具有複數薄型通道，該等薄型通道係為堆疊排列且相互平行，每一該薄型通道內係具有一放置槽，以供放置該銅銦鎵硒薄膜。如此一來，藉由該氣體分流件以限制剛進入反應室之紊亂硫氣體必須要分別進入該等薄型通道，而轉換為穩定之層流硫氣體，便能均勻地於每一銅銦鎵硒薄膜之表面上擴散硫氣體，以達到大面積均勻硫化並增加開路電壓，進而提升光電轉換效率。

IPC國際分類號

C23C000808
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1154frank@ncsist.org.tw