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專利名稱 可磊晶之散熱基板與其製作方法
創作型式 發明
專利證號 TWI621741
國別 中華民國
獲證日期 2016/12/20
專利摘要 一種可磊晶之散熱基板與其製作方法，步驟包括：(A)於一多晶或非晶材料基板之表面形成粗糙面；(B)於該粗糙面上形成一平坦層；(C)於該平坦層上形成一緩衝層。藉此，使用平坦層降低基板之表面粗糙度，再利用緩衝層，作為磊晶成長之基底，可直接用於製備平坦及結晶等向成長的半導體元件。

IPC國際分類號

C30B002502
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1182frank@ncsist.org.tw