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專利名稱 紅外線抗反射膜結構
創作型式 發明
專利證號 TWI646350
國別 中華民國
獲證日期 2017/12/18
專利摘要 一種紅外線抗反射膜結構，係包含：一基材，其材料係為矽；一抗反射膜層，其材料係包含氧化鋅，該抗反射膜層包含一上抗反射膜層及一下抗反射膜層，該上抗反射膜層設置於該基材之上表面，該下抗反射膜層設置於該基材之下表面；其中，該基材係使用浮融帶長晶法方式所製備而成，藉此，使用高純度長晶方式所製備的矽基材，來取代鍺作為高折射率材料以及基材，並在矽基材的表面鍍製可使長紅外線波段的抗反射膜層，以應用於熱成像技術。

IPC國際分類號

G02B0001113
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1264frank@ncsist.org.tw