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專利名稱 一種具障礙層的稀土元素發光二極體結構
創作型式 發明
專利證號 TWI662106
國別 中華民國
獲證日期 2018/11/29
專利摘要 本發明係為一種以介面障礙層方式提升於逆偏壓下操作之稀土元素發光二極體結構。主要在稀土元素發光層之側邊介面上製作一能階高於發光層材料的障礙層。藉由不同偏壓的操作，此障礙層可控制載子進入發光層的情況。與無障礙層的稀土元素發光二極體相比，此具障礙層的稀土元素發光二極體可抑制未達臨界電壓時之暗電流，以及提升在超過臨界電壓後的二極體發光強度。

IPC國際分類號

C09K001177
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1365frank@ncsist.org.tw