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專利名稱 一種含SiOx之負極材料的製造方法
創作型式 發明
專利證號 TWI699033
國別 中華民國
獲證日期 2019/04/03
專利摘要 本發明係提供一種含SiOx之負極材料的製造方法，步驟包括：(A)提供一矽啟始物、非晶相SiO 2與一溶劑於惰性氣氛下進行一混合製程以形成一混合物；(B)將該混合物進行烘乾以得到一矽氧化物前驅物；(C)將該矽氧化物前驅物置入一模具中壓錠並在惰性氣氛或還原性氣氛下進行一鍛燒製程以形成一SiOx固狀物；(D)將該SiOx固狀物進行一粉碎篩分製程以形成一SiOx粉狀物；(E)將該SiOx粉狀物與一有機碳源進行一碳包覆製程以形成一SiOx/C前驅物；(F)將該SiOx/C前驅物進行一碳化製程以形成一SiOx/C複合物；其中，步驟(C)、步驟(D)、步驟(E)及步驟(F)SiOx之x值範圍為0.5

IPC國際分類號

H01M0010052
聯絡人 王淳右
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