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專利名稱 一種製備氮化鋁-氧化鋅紫外光檢測電極之方法
創作型式 發明
專利證號 TWI750549
國別 中華民國
獲證日期 2019/12/06
專利摘要 本發明為採用具有散熱性佳、熱傳導率、高電絕緣、使用壽命長、抗腐蝕、耐高溫以及物理特性穩定的氮化鋁基板，並於氮化鋁基板上以磁控射頻濺鍍製作寬能隙之高品質氧化鋅薄膜，相較於一般之蒸鍍法、化學氣相法與水熱法等，此磁控射頻濺鍍可成長出高品質與低缺陷的氧化鋅薄膜，此低缺陷濃度之氧化鋅對於短波長光電元件為一重要關鍵性技術，並使得元件之漏電流變小，降低閃爍雜訊(flicker noise)，進而提升其光拒斥比(UV-visible rejection ratio)。

IPC國際分類號

C23C001434
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1450frank@ncsist.org.tw