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專利名稱 含鋁氮化物電晶體結構
創作型式 發明
專利證號 TWI716230
國別 中華民國
獲證日期 2019/12/20
專利摘要 本發明揭示一種含鋁氮化物電晶體結構及其製作方法，藉由在含鋁氮化物電晶體結構中插入一層較低能隙之二元氮化物中間層，進一步改善二維電子氣通道之片載子濃度，來達到提升含鋁氮化物電晶體性能之功效。

IPC國際分類號

H01L0021338
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1453frank@ncsist.org.tw