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專利名稱 具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構
創作型式 發明
專利證號 TWI717163
國別 中華民國
獲證日期 2019/12/20
專利摘要 本發明係為一種具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構及其製作方法，藉由在氮化物電晶體結構中插入一層石墨烯中間層，此石墨烯中間層可作為後續氮化物磊晶層之碳摻雜來源以製作半絕緣氮化物磊晶層，並可作為氮化物電晶體之導熱層，來達到提升氮化物電晶體性能之功效。

IPC國際分類號

H01L002906
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1466frank@ncsist.org.tw