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專利名稱 利用雙層碳包覆之矽碳負極材料及其製備方法
創作型式 發明
專利證號 TWI755998
國別 中華民國
獲證日期 2020/12/28
專利摘要 本發明係提供一種利用雙層碳包覆之矽碳負極材料，其包括：一石墨烯，係作為一載體；一奈米矽粉，係分散於該石墨烯表面上；以及一雙層無定型碳，係包覆於該奈米矽粉與該石墨烯表面上，達到比一般矽粉更長的循環壽命之效果。

IPC國際分類號

H01M000436
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1496frank@ncsist.org.tw