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專利名稱 具超奈米晶體鑽石層電極結構之氮化物半導體元件
創作型式 發明
專利證號 TWI756022
國別 中華民國
獲證日期 2021/01/13
專利摘要 本發明係提供一種具超奈米晶體鑽石層電極結構之氮化物半導體元件及其製作方法，藉由在氮化物半導體元件製作過程中，於其電極區域之半導體表面施以圖案化處理，使得超奈米晶體鑽石層能更有效地附著於氮化物半導體表面，此超奈米晶體鑽石層可作為電極層與熱傳導層，來達到提升氮化半導體元件性能之功效。

IPC國際分類號

H01L002128
聯絡人 王淳右
電話 #329655
EMAIL f1502frank@ncsist.org.tw