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::: 研發成果

研究報告

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【年度】100 年研發成果
【項目】 研究報告
【領域】 振興傳產科專
【類別】 機電運輸
計畫名稱 傳統產業高值化應用計畫
報告名稱 薄膜元件抗雷射損傷閾值特性研究
撰寫人 黃昭準
性質 技術
內容摘要 為探討探討薄膜材料與製程參數對於薄膜抗雷射損傷閾值之影響，以二氧化矽(SiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、氟化鐿(YbF3)等不同材料，以及不同製程參數來進行抗雷射損傷閥值之檢測與分析。由五所光電組進行試片製作後，委託國立清華大學高能光電實驗室架設檢測系統，並進行各種不同材料及製程參數之單層膜抗雷射閥值之檢測與分析後，發現較高溫度製程之樣品可得到較高之雷射損傷閥值；而氟化鐿材料有較高的雷射損傷閥值。