::: 科技專案

::: 研發成果

計畫名稱	新世代能源關鍵技術開發計畫
報告名稱	Si3N4薄膜於不銹鋼基板及CIGS製程研究
撰寫人	吳晴雯盧永添胡松城張百鎔
性質	技術
內容摘要	"本研究分為二部分。 (1)利用直流磁控濺鍍系統來沉積銅-銦-鎵(Cu-In-Ga)前驅物(precursor)薄膜於玻璃基板上，然後蒸鍍硒(Se)元素於前驅物試片上，接著使用快速熱退火製程系統(Rapid Thermal Process, RTP)，將CIG前趨物硒化成為硒化銅銦鎵 (CIGS)薄膜。因為RTP硒化製程的時間很短，因此控制硒元素在薄膜中的擴散反應速度在硒化製程時更顯重要，藉由改變CIG前趨物的濺鍍壓力，探討不同的CIG前趨物之結構堆積密度、化學組成比例與表面形貌在硒化反應時對於CIGS薄膜的影響。研究結果顯示在CIG薄膜濺鍍壓力為4.2 mTorr時，經硒化製程後有較佳的化學組成比例與較大的結晶形成。 (2)使用射頻磁控濺鍍系統(rf sputter)在不鏽鋼基板SS430上沉積Si3N4薄膜作為絕緣層，並使用DC sputter蒸鍍鋁進行百格導通測試，以了解Si3N4薄膜之均勻性及絕緣性。另探討以不同的基板前處理方式測試Si3N4薄膜之附著度與絕緣特性之影響。研究結果顯示在氧氣電漿200W/20 min前處理條件下處理基板(SS430)，製程功率200W，製程壓力2 mtorr，製程溫度50℃下沉積Si3N4薄膜之附著度與絕緣性最佳。