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::: 研發成果

專利權

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【年度】102 年研發成果
【項目】 專利權
【領域】 關鍵技術科專
【類別】 機電運輸
計畫名稱 CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
專利名稱 太陽能電池吸收層之結構及其製造方法
發明人 林坤豐，吳政翰，倪國裕，蘇程裕
國家 中華民國
性質 發明
技術摘要 本發明係有關於一種太陽能電池吸收層之結構及其製造方法，該吸收層為一多層膜結構，該多層膜結構包含至少一銅銦合金薄膜及至少一銅鎵合金薄膜，該銅銦合金薄膜與該銅鎵合金薄膜交錯堆疊，經退火處理及硒化處理，得到銅銦鎵硒吸收層，該吸收層之製造方法係控制該銅銦合金靶材及該銅鎵合金靶材之相態及成分比例，進而控制沈積該銅銦合金薄膜及該銅鎵合金薄膜之相態及成分比例，以完成銅銦鎵硒吸收層，並達到低成本、製程穩定、簡便、高品質與高沉積速率之特性。
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